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NTUD3171PZ
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 3)
Junction ? to ? Ambient – t = 5 s (Note 3)
Symbol
R q JA
Max
1000
600
Unit
° C/W
3. Surface ? mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size, 1 oz Cu.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 20
V
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V, V DS = ? 5.0 V
V GS = 0 V, V DS = ? 5.0 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
? 50
? 100
? 200
nA
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 5.0 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Drain ? to ? Source On Resistance
V GS(TH)
R DS(ON)
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 100 mA
? 0.4
2.0
? 1.0
5.0
V
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 50 mA
2.6
6.0
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 20 mA
V GS = ? 1.5 V, I D = ? 10 mA
V GS = ? 1.2 V, I D = ? 1.0 mA
3.4
4.0
6.0
7.0
10
W
Forward Transconductance
g FS
V DS = ? 5.0 V, I D = ? 125 mA
0.35
S
Source ? Drain Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = ? 10 mA
? 0.6
? 1.0
V
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C ISS
13.5
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = ? 15 V
3.8
2.0
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 4.5 V (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
26
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 15 V,
I D = ? 200 mA, R G = 2.0 W
46
196
145
ns
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
ORDERING INFORMATION
Device
NTUD3171PZT5G
Package
SOT ? 963
(Pb ? Free)
Shipping ?
8000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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